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IRFIZ46N
2800
2400
V GS
C is s
C rs s
C o ss
= 0 V, f = 1M H z
= C gs + C gd , C ds SH O RTE D
= C gd
= C ds + C g d
20
16
I D = 2 8A
V DS = 4 4V
V DS = 2 8V
2000
1600
1200
800
C is s
C os s
12
8
C rs s
4
400
FO R TES T C IR CU IT
0
A
0
SEE FIG U R E 13
A
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
1000
V D S , Drain-to-Source V oltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
Q G , Total Gate Charge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPE R ATIO N IN TH IS A RE A LIMITE D
BY R D S(o n)
100
10
T J = 17 5°C
T J = 25 °C
100
10
1 0μs
1 00μs
1m s
1
V G S = 0 V
A
1
T C = 25 °C
T J = 17 5°C
S ing le Pulse
10m s
A
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
1
10
100
V S D , S ource-to-Drain Voltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V D S , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
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